Micron Technology, Inc. / 

08.02.2010 18:27

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Unternehmen treiben DRAM-Entwicklung der 3X-Nanometer-Prozesstechnologie im
Labor weiter voran Ankündigungsübersicht 

* Micron und Nanya stellten heute eine neue 42-Nanometer
DRAM-Prozesstechnologie vor und haben bereits einen 3X-Nanometer-Prozess im
Labor in Arbeit 
* Um der Vorreiter bei der Skalierung zu bleiben, verwendet der neue
42-Nanometer-Prozess die effizientere und zuverlässigere
Kupfermetallisierungstechnik. 
* Der 42-Nanometer-Prozess ermöglicht eine 2GB-Speicheranordnung, die
Energieeinsparung, größere Leistung, größere Dichte und geringere Die-Größe
bietet. 

BOISE, Idaho und TAOYUAN, Taiwan, 8. Februar 2010 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron
Technology, Inc. (Nasdaq: MU) und Nanya Technology Corporation gaben heute
bekannt, dass sie unter Verwendung ihrer neuen 42-Nanometer
(nm)-DRAM-Prozesstechnologie auf Kupferbasis ein 2-Gigabit
(Gb)-DDR3-Speichergerät zusammen entwickelt haben. DDR3 ist die vorherrschende
Speichertechnologie, die in High-Performance-Computeranwendungen einschließlich
Servern, Notebooks und Desktop-Computern verwendet wird. 

Die Entwicklung hin zu kleineren Prozessgeometrien ist überaus wichtig im
Hinblick auf die Erhaltung von Kostenvorteilen bei der Herstellung und bietet
dem Kunden gleichzeitig Vorteile wie Energieeinsparungen, höhere Leistung,
größere Dichte und kleinere Die-Größen.  Der neue 42nm-Prozess macht 1,35-Volt
zum Standard-Hauptstromspannungsbedarf im Vergleich zu den 1,5-Volt früherer
Generationen. Der geringere Speicher-Strombedarf ist für heutige
Server-Umgebungen entscheidend, bei denen die Kosten der Stromversorgung und
Kühlsysteme den Kosten einer Server-Einrichtung entsprechen. Angesichts des
zunehmenden Speicherbedarfs von Servern wird der Speicher-Energieverbrauch auf
bis zu 21-Watt pro Modul geschätzt. * Die 1,35-Spannung kann bei diesen
Anwendungen für Einsparungen von bis zu 30% sorgen und sowohl den Strombedarf
als auch den Bedarf an Kühlsystemen reduzieren. 

Höhere Speicher-Geschwindigkeiten sind für das Erreichen der maximalen
Systemleistung wichtig. Durch die geschrumpfte Prozesstechnologie liefert das
2Gb 42nm-DDR3-Gerät eine verbesserte Speicherleistung, die bis zu 1866 Megabits
pro Sekunde erreichen kann. Zudem werden durch die Kopplung der kleinen
Die-Größe mit der 2Gb-Dichte des 42nm-DDR3-Geräts Module mit bis zu 16GBs
möglich. 

'Durch den Schritt hin zu 42nm - und einen 3Xnm-Prozess in unserem F&E-Labor in
Boise in Arbeit - hat es uns die Expertise Microns bei der
Kupfermetallisierungs- und exklusiver Zellkondensator-Technologie ermöglicht,
dass wir weiter der Vorreiter beim DRAM-Prozessdesign und der Innovation sind',
sagte Robert Feurle, Vice President des DRAM- Marketings. 'Die Aufnahme dieses
neuen 2Gb 42nm-Geräts in unsere DRAM-Produktpalette stärkt unser ohnehin schon
reichhaltiges Portfolio an Speicherlösungen für Endverbraucheranwendungen.' 

'Wir freuen uns sehr, unseren Kunden dieses äußerst wettbewerbsfähige, in
Produktion befindliche 2Gb DDR3-DRAM-Gerät anzubieten', sagte Dr. Pei Lin Pai,
Vize-Präsident im Bereich Global Sales und Marketing und Sprecher von Nanya.
'Nanya hat vor, sich mit diesem neuesten Technologiegerät auf dem Markt für
Server und PCs sowie dem Verbrauchermarkt zu positionieren.' 

Kupfer: der Weg zu höherer Qualität und Zuverlässigkeit

Durch die Verwendung der effizienteren und zuverlässigeren
Kupfermetallisierungstechnik für den neuen 42nm-Nanometer-Prozess können Micron
und Nanya weiter die Vorreiterrolle bei der Skalierung einnehmen.  Micron sind
die Vorteile von Kupfer zur Unterstützung der DRAM-Skalierung schon seit langem
bekannt und man hat die Technologie fast ein Jahrzehnt lang weiter
vorangetrieben und verfeinert. Im Vergleich zu anderen Metallisierungstechniken
für beispielsweise Aluminium ist Kupfer als der Ansatz anerkannt, der
erweiterbarer, zuverlässiger und preisgünstiger für die Weiterentwicklung von
Prozessgeometrien und die Verbesserung der Produktleistung ist.  Während Micron
und Nanya weiter an der Skalierung arbeiten und sich auf ihre
3Xnm-Prozesstechnologie zubewegen, setzen die beiden Unternehmen auf ihre
starke Kupfer-Basis, um qualitativ hochwertige und höchst zuverlässige Produkte
zu liefern. 

Verfügbarkeit

Ab dem zweitem Kalendervierteljahr 2010 sollen Muster verfügbar sein; der
Produktionsanlauf ist für die zweite Hälfte des Jahres geplant. 

*Dr. Dobb's, 5. März 2009, Das Problem des Stromverbrauchs von Servern -
http://www.drdobbs.com/215800830?pgno=1 

Relevante Links

Weitere Möglichkeiten, um immer über Neuigkeiten von Mikron informiert zu sein:

* Micron Innovations-Blog: www.micronblogs.com  
* Micron auf Twitter: http://twitter.com/microntechnews 
* RealSSD auf Twitter: http://twitter.com/realssd      
* Micron Pressroom: www.micron.com/media     

Über Micron

Micron Technology, Inc., ist einer der führenden Anbieter von hoch entwickelten
Halbleiterlösungen. Als Teil seiner weltweiten Geschäftsaktivitäten produziert
und vermarktet Micron DRAM-, NAND-Flash-Speicher, sonstige
Halbleiterkomponenten sowie Speichermodule zur Anwendung in führenden Produkten
in den Bereichen Computer, Unterhaltungselektronik, Netzwerke und tragbare
elektronische Geräte. Die Stammaktien von Micron werden an der NASDAQ unter dem
Symbol MU gehandelt. Weitere Informationen über Micron Technology, Inc.
erhalten Sie auf www.micron.com. 

Das Logo von Micron Technology, Inc. ist erhältlich auf
http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950 

Über Nanya

Nanya Technology Corporation, ein Mitglied der Formosa Plastics Group, ist ein
weltweit führender Anbieter von modernen Speicherhalbleitern, der sich auf die
Forschung und Entwicklung, das Design, die Fertigung und den Verkauf von
DRAM-Produkten spezialisiert hat. NTCs Stammaktien werden an der Taiwan Stock
Exchange Corporation (TSEC) unter dem Kürzel 2408 gehandelt. Das Unternehmen
besitzt zurzeit sowohl 200mm-Fertigungseinrichtungen sowie eine
300mm-Fertigungseinrichtung in Taiwan. Das Unternehmen besitzt zurzeit sowohl
200mm-Fertigungseinrichtungen sowie eine 300mm-Fertigungseinrichtung in Taiwan.
Das Unternehmen ist zudem involviert in ein 300mm-Joint Venture, Inotera
Memories, Inc., welches zwei 300mm-Fertigungseinrichtungen in Taiwan betreibt.
Weitere Informationen befinden sich auf http://www.nanya.com 

Das Logo der Nanya Technology Corporation ist erhältlich auf
http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 

Micron und das Micron-Orbit-Logo sind Warenzeichen von Micron Technology, Inc.
Alle anderen Warenzeichen sind Eigentum ihrer jeweiligen Besitzer. 

Diese Pressemitteilung enthält zukunftsweisende Aussagen hinsichtlich der
Fertigung von Microns neuem 2Gb 42nm-DDR3-Gerätes sowie der Entwicklung eines
3Xnm-DRAM-Prozesses. Die tatsächlichen Ergebnisse können wesentlich von den
hier in den zukunftsweisenden Aussagen beschriebenen abweichen.  Weitere
Einzelheiten können Sie den Unterlagen entnehmen, die Micron regelmäßig auf
konsolidierter Basis bei der US-amerikanischen Börsenaufsichtsbehörde
(Securities and Exchange Commission) einreicht, insbesondere auf Microns
aktuellen Formblättern 10-K und 10-Q. Diese Unterlagen enthalten und heben
wichtige Faktoren hervor, die dazu führen könnten, dass Microns tatsächliche
Ergebnisse auf konsolidierter Basis wesentlich von den in unseren
zukunftsweisenden Aussagen genannten Ergebnissen abweichen (siehe 'Certain
Factors'). Obwohl wir davon ausgehen, dass die in den zukunftsweisenden
Aussagen genannten Erwartungen angemessen sind, können wir zukünftige
Ergebnisse, Aktivitätsniveaus, Leistungen oder Erfolge nicht garantieren. 

Ein dieser Pressemitteilung zugehöriges Foto ist erhältlich auf
http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 

Das Foto ist auch über Newscom auf www.newscom.com erhältlich sowie über AP
PhotoExpress. 

KONTAKT:  Micron Technology, Inc.
          Kirstin Bordner
          (208) 368-5487
          kbordner@micron.com

          Nanya Technology Corporation
          Dr. Pei Lin Pai
          886-3-3281688 x1008
          plpai@ntc.com.tw

News Source: NASDAQ OMX



08.02.2010 Ad-hoc-Meldungen, Finanznachrichten und Pressemitteilungen übermittelt durch die DGAP.
Medienarchiv unter http://www.dgap-medientreff.de und http://www.dgap.de

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Sprache:      Deutsch
Unternehmen:  Micron Technology, Inc.
              
               
              United States
Telefon:      
Fax:          
E-Mail:       
Internet:     
ISIN:         US5951121038
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